多晶硅 ( 多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。 ) 在太陽(yáng)能利用上，單晶硅和多晶硅也發(fā)揮著巨大的作用。要使太陽(yáng)能發(fā)電具有較大的市場(chǎng)，被廣大的消費(fèi)者接受，就必須提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率，降低生產(chǎn)成本。從國(guó)際太陽(yáng)電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢(shì)為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。不論是改良西門子法還是硅烷法生產(chǎn)工藝中都需要過濾設(shè)備，用于收集硅粉、氯硅烷循環(huán)洗滌、循環(huán)水再利用等工序。結(jié)合眾多項(xiàng)目生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，上海奕卿過濾科技有限公司提出了自己的過濾工藝解決方案。

（ 1 ）石英砂在電弧爐中冶煉提純到 98% 并生成工業(yè)硅，

其化學(xué)反應(yīng) SiO2+C → Si+CO2 ↑

（ 2 ）為了滿足高純度的需要，必須進(jìn)一步提純。把工業(yè)硅粉碎并用無水氯化氫 (HCl) 與之反應(yīng)在一個(gè)流化床反應(yīng)器中，生成擬溶解的三氯氫硅 (SiHCl3) 。

其化學(xué)反應(yīng) Si+HCl → SiHCl3+H2 ↑

反應(yīng)溫度為 300 度，該反應(yīng)是放熱的。同時(shí)形成氣態(tài)混合物 ( Н 2, НС 1,Si НС 13,SiC14,Si) 。

（ 3 ）第二步驟中產(chǎn)生的氣態(tài)混合物還需要進(jìn)一步提純，需要分解 : 過濾硅粉，冷凝 Si НС 13,SiC14 ，而氣態(tài)Н 2, НС 1 返回到反應(yīng)中或排放到大氣中。然后分解冷凝物 Si НС 13,SiC14 ，凈化三氯氫硅（多級(jí)精餾）。

（ 4 ）凈化后的三氯氫硅采用高溫還原工藝，以高純的 SiHCl3 在 H2 氣氛中還原沉積而生成多晶硅。

其化學(xué)反應(yīng) SiHCl3+H2 → Si+HCl 。

多晶硅的反應(yīng)容器為密封的，用電加熱硅池硅棒（直徑 5-10 毫米，長(zhǎng)度 1.5-2 米，數(shù)量 80 根），在 1050-1100 度在棒上生長(zhǎng)多晶硅，直徑可達(dá)到 150-200 毫米。

這樣大約三分之一的三氯氫硅發(fā)生反應(yīng)，并生成多晶硅。剩余部分同 Н 2, НС 1,Si НС 13,SiC14 從反應(yīng)容器中分離。這些混合物進(jìn)行低溫分離，或再利用，或返回到整個(gè)反應(yīng)中。氣態(tài)混合物的分離是復(fù)雜的、耗能量大的，從某種程度上決定了多晶硅的成本和該 3 工藝的競(jìng)爭(zhēng)力。

技術(shù)支持：

如何選擇過濾設(shè)備 —工況調(diào)查表

常見流體的粘度；

常見顆粒物的大小及設(shè)備選型參考；

常見流體化學(xué)適應(yīng)性表；

選擇過濾精度時(shí)微米和目數(shù)的關(guān)系；

常見管道尺寸對(duì)照表；

如何挑選合適的過濾袋 - 過濾芯 ；

過濾機(jī)理和形式 ；

過濾行業(yè)中的常用術(shù)語(yǔ) ；

過濾行業(yè)常見的單位換算 ；

過濾的種類及模式 ；

過濾行業(yè)中的一些名詞定義 ；

常見顆粒物粒徑大小 ；

常用壓濾機(jī)濾布分類 ；

過濾機(jī)理 ；

幾種過濾方法能耗分析 ；

幾種金屬顆粒和化合物粒徑分布 ；

顆粒尺寸和對(duì)應(yīng)的過濾分離方式 ;